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定制案例1
考虑热扩散的CVD计算案例
使用iconCFD对下面论文中的CVD（Chemical Vapor Deposition）过程进行解析，对考虑和不考虑热扩散效应时膜厚度的差异进行了检查。
解析模型
基于论文案例创建模型
边界条件
物理模型
解析方法：非定常解析
求解器类型：分离式求解
基本方程：
- 连续性方程
- 动量方程
重力：考虑（-Z方向） - 能量输运方程
- 化学组分输运方程
- 化学组分：H2, SiCl3H, HCl
- Diffusion off boundary: 进口 - 湍流模型：层流
- 化学反应
- 基层表面各种组分的产生和消失
反应式：SiCl3H + H2 -> Si↓ + 3HCl
反应速度公式：参考下面论文
- 整体一阶反应式
- 膜生长速度
密度：理想气体状态方程
比热：JANAF
粘度：kinetics Theory模型
导热系数：kinetics Theory模型
扩散系数：kinetics Theory模型
- Ficken Diffusion
- 热扩散效应：考虑・不考虑
物理时间为3s的计算时间
不考虑热扩散：5.5h
考虑热扩散：6.9h
Machine spec
Intel Core i5-2520M@2.5GHz
No. of CPU: 1CPU
不考虑热扩散：5.5h
考虑热扩散：6.9h
Machine spec
Intel Core i5-2520M@2.5GHz
No. of CPU: 1CPU
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膜生长速度随时间的变化 |
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热扩散效应对膜生长速度的影响 |
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SiCl3H质量分数 [kg/kg-all] |
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HCl质量分数 [kg/kg-all] |
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H2质量分数 [kg/kg-all] |
